- Tension drain à source (Vds) de 200V
- Tension grille à source de ±20V
- Résistance On Rds(on) de 150mohm
- Dissipation de puissance (Pd) 150W à 25°C
- Courant de drain continu Id de 18A à Vgs 10V et 25°C
- Plage de température de jonction de -55°C à 175°C
COMPOSANT ELECTRONIQUE, transistor
IRF640NPBF CIT-225
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
300CFA
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