Tension: 100 V
Intensité: 5,6 A
Polarité: MOS-N-FET-e
Boîtier: TO220
IRF510PBF – MOSFET Transistor, N Channel, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
400CFA
Tension: 100 V
Intensité: 5,6 A
Polarité: MOS-N-FET-e
Boîtier: TO220
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Le SN74HC595N comprend un registre à décalage à sortie parallèle et entrée série 8 bits qui alimente un registre de stockage de type D 8 bits. Le registre de stockage possède des sorties 3 états parallèles. Des horloges séparées sont fournies pour le registre de stockage et de décalage.
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